EuroWire November 2019

Technischer Artikel

Geschwindigkeit der Gießstange (m/s) Motordrehzahl (Upm)

Produktionsgeschwindigkeit

25.03 t/h

0.216

v(m/s)

16.349 n(r/ min)

1037

Dehnungskoeffizient

Walzengeschwindigkeit (n)

Walzengeschwindigkeit (v)

Struktur

D/mm Vorwärtsbewegung

Soll

Ist

Soll

Ist

1H

304.80

1.050

1496 1533

21.38

0.331

--

--

2V 3H 4V 5H 6V 7H 8V 9H

304.80 204.50 204.50 204.50 204.50 204.50 204.50 204.50 204.50

1.055 1.075 1.094 1.074 1.080 1.058 1.060 1.040 1.047

1508 1583 1510 1560 1566 1611 1525 1578 1529 1580 1630 1681 1496 1538 1542 1536 1476 1404

43.64 99.26

0.644 1.027 1.688 2.717 4.176 6.501 8.523

1.899 1.620 1.650 1.600 1.539 1.560 1.315 1.462 1.293

1.945 1.594 1.643 1.610 1.537 1.557 1.311 1.417 1.234

164.00 251.03 390.32 594.83 792.38 1114.66 1376.47

12.073 14.903

10V

*D – Durchmesser des Walzengehäuses, n – Drehzahl des Kristallisationsrads, v – Fördergeschwindigkeit des Kupferrundstabs ▲ ▲ Tabelle 4 : Übereinstimmungstabelle des Ausdehnungskoeffizienten der Gerüste des kontinuierlichen Walzwerks in der SCR3000-Fertigungsstraße

4 Ergebnisse und Diskussion 4.1 Wirkung der technologischen Parameter auf den Temperatur- und Flussbereich des Kupferrundstabs Um den Einfluss verschiedener Temperaturen auf den Temperatur- und Flussbereich der Walzgüter zu untersuchen wurden die Gießtemperaturen von 1.110°C, 1.120°C, 1.130°C und 1.140°C ausgewählt. Die Gesamttemperatur der Kristallisationszone nimmt mit der Zunahme der Gießtemperatur zu, insbesondere beim Aus- und Einlauf. Aufgrund der latenten Erstarrungswärme im Kristallisationsverfahren des flüssigen Kupfers, ist die Temperaturzunahme am Auslauf nicht linear. Die Erstarrungsposition ist eng mit der Gießtemperatur verbunden. Wenn die Abstich-Temperatur das niedrigste Niveau erreicht, wird der Erstarrungspunkt

des flüssigen Kupfers die Fluidität beeinflussen, die Reibungskraft der Kontaktfläche sowie den Anteil des in die Flüssigkeit austretenden Gases erhöhen und das Walzgut kann leichter Oberflächenmängel hervorrufen. Mit der Erhöhung der Gießtemperatur nähert sich der Erstarrungspunkt allmählich dem Auslauf der Kristallisationszone. der unterschiedlichen Überhitzung auf dem Flussbereich in der Kristallisationszone zeigt, dass die Erhöhung der Gießtemperatur, die Merkmale der Flussverteilung des Flussbereichs in der Kristallisationszone nicht wesentlich verändert hat, und der Wirbel-Rücklaufbereich blieb grundsätzlich unverändert, doch steigt die Rücklaufgeschwindigkeit. Gleichzeitig sinkt die Viskosität des flüssigen Kupfers, die Fluidität des flüssigen Kupfers erhöht die Wirkungstiefe der Hauptflusslinie, was Gas und Einschlüsse in die Tiefe fängt. Dies trägt nicht dazu bei die Flotation nach oben zu beseitigen und demzufolge bleiben Gas und die Verunreinigungen im Walzgut und führen so zu Defekten. Die Analyse des Einflusses

sinkenden Temperaturgeschwindigkeiten dargestellt. Die Gießtemperatur liegt bei 1.120°C und die Auslauftemperatur der Kristallisationszone bei 1.031°C. Das ist in Übereinstimmung mit dem im Produktionsstandort gemessenen Temperaturbereich der Auslaufposition der Kristallisationszone und zeigt, dass das Simulationsmodell der tatsächlichen Lage entspricht. In der Abbildung 3b entspricht die graphische Darstellung des Flussfelds dem Prinzip der Erstarrung und der Kristallisation des flüssigen Kupfers in der Gussform. 3.3 Simulation der Deformation des Kupferrundstabs im kontinuierlichen Warmwalzen Die Feldprozessdaten sind in der Tabelle 3 angegeben und das numerische Simulationsmodell wird entsprechend dem theoretischen mathematischen Modell festgelegt. Die Simulationsergebnisse sind in der Abbildung 4 dargestellt. Um die Analyse zu vereinfachen und die Berechnungsgeschwindigkeit zu erhöhen, wird die Warmbandstraße in vier Gruppen geteilt (1#+2#, 3#+4#+5#, 6#+7#+8#, 9#+10#). Analysiert werden die Spannung, die Verformung, die Temperatur und die Schäden, die bei jedem Stich des Kupferrundstabs fürs das Warmband verursacht werden. Daraus ergibt sich die Grundlage für die Studie der Verformungsregel des Kupferrundstabs für Warmbänder während des Warmbandwalzens.

▼ ▼ Abb. 5 : Struktureller Optimierungsschema der Sprühvorrichtung Nr. 2

▲ ▲ (b) Strukturelle Optimierung der Spritzvorrichtung für Gerüst Nr. 2

▲ ▲ (a) Sprühvorrichtung und strukturelles Diagramm Nr. 2

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